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G3F09MT12G3T
Silicon Carbide MOSFET, Three Level Inverter, N Channel, 1.2 kV, 0.0093 ohm, Module
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FabricantGENESIC
Réf. FabricantG3F09MT12G3T
Code Commande39AM8766
Gamme de produitSiCPAK G Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 27 semaine(s)
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 342,470 $ |
| 5+ | 337,380 $ |
| 10+ | 332,450 $ |
| 25+ | 312,500 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
342,47 $
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Informations produit
FabricantGENESIC
Réf. FabricantG3F09MT12G3T
Code Commande39AM8766
Gamme de produitSiCPAK G Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationThree Level Inverter
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id-
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance9300µohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max-
Product RangeSiCPAK G Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Three Level Inverter
Continuous Drain Current Id
-
Drain Source On State Resistance
9300µohm
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
-
Operating Temperature Max
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
SiCPAK G Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit