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GA10JT12-263
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 10 A, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK)
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 20 semaine(s)
Informations produit
FabricantGENESIC
Réf. FabricantGA10JT12-263
Code Commande08X5868
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id10A
On Resistance Rds(on)-
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max-
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd94W
No. of Pins3Pins
Power Dissipation94W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Channel Type
N Channel
On Resistance Rds(on)
-
Drain Source On State Resistance
-
Gate Source Threshold Voltage Max
-
Power Dissipation Pd
94W
Power Dissipation
94W
Product Range
-
SVHC
Lead
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
10A
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Rds(on) Test Voltage
-
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
No. of Pins
3Pins
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit