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2N7002DWH6327XTSA1
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
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FabricantINFINEON
Réf. Fabricant2N7002DWH6327XTSA1Copie
Code Commande
Mise en bobine47Y8194
Bandes découpées47Y8194
Egalement appelé2N7002DW H6327, SP000917596
Votre numéro de pièce
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,473 $ | 0,47 $ |
| Total Prix | 0,47 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,473 $ |
| 10+ | 0,287 $ |
| 25+ | 0,251 $ |
| 50+ | 0,216 $ |
| 100+ | 0,180 $ |
| 250+ | 0,156 $ |
| 500+ | 0,132 $ |
| 1000+ | 0,116 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. Fabricant2N7002DWH6327XTSA1Copie
Code Commande
Mise en bobine47Y8194
Bandes découpées47Y8194
Egalement appelé2N7002DW H6327, SP000917596
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id300mA
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel300mA
Continuous Drain Current Id P Channel300mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.6ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1.6ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel500mW
Power Dissipation P Channel500mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The 2N7002DW H6327 is a dual N-channel OptiMOS™ Small Signal Transistor designed for DC-to-DC converters, eMobility, on-board charger and telecom applications.
- Enhancement-mode
- Logic level
- Avalanche rated
- Fast switching
- Halogen-free
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
300mA
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
300mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1.6ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
500mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
300mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.6ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit