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AIMW120R035M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 52 A, 1.2 kV, 35 mohm, TO-247
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantAIMW120R035M1HXKSA1
Code Commande52AJ4418
Gamme de produitCoolSiC Trench
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantAIMW120R035M1HXKSA1
Code Commande52AJ4418
Gamme de produitCoolSiC Trench
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id52A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance35mohm
On Resistance Rds(on)0.035ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd228mW
Power Dissipation228mW
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.035ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
228mW
Product Range
CoolSiC Trench
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
52A
Drain Source On State Resistance
35mohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
228mW
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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