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FabricantINFINEON
Réf. FabricantAUIRF4905STRLCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Mise en bobine13AC8125RL
Bandes découpées13AC8125
Gamme de produitHEXFET Series
Votre numéro de pièce
15 705 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 10,220 $ | 10,22 $ |
| Total Prix | 10,22 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,220 $ |
| 50+ | 9,020 $ |
| 100+ | 8,260 $ |
| 250+ | 7,480 $ |
| 500+ | 6,500 $ |
| 1000+ | 5,150 $ |
| 2500+ | 4,900 $ |
| 5000+ | 4,600 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantAUIRF4905STRLCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Mise en bobine13AC8125RL
Bandes découpées13AC8125
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id42A
Drain Source On State Resistance0.02ohm
On Resistance Rds(on)0.02ohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation170W
Power Dissipation Pd170W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)
Aperçu du produit
Automotive grade HEXFET® power MOSFET specifically designed for automotive applications.
- Advanced planar technology
- P-channel MOSFET
- Low on-resistance
- Fast switching speed and ruggedized device design
- Repetitive avalanche allowed up to Taxa
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Case Style
TO-263AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (08-Jul-2021)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
42A
On Resistance Rds(on)
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
170W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits associés
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (08-Jul-2021)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
