Imprimer la page
AUIRF7343QTR
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm, SOIC, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantAUIRF7343QTR
Code Commande43AC2192
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
61 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,380 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,38 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantAUIRF7343QTR
Code Commande43AC2192
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Drain Source Voltage Vds N Channel55V
Drain Source Voltage Vds P Channel55V
Continuous Drain Current Id4.7A
Continuous Drain Current Id N Channel4.7A
Continuous Drain Current Id P Channel4.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.043ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.043ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)
Aperçu du produit
- Automotive HEXFET® power MOSFET
- Automotive qualified
- Advanced planar technology
- Ultra-low on-resistance
- Logic level gate drive
- Dual N and P channel MOSFET
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
55V
Continuous Drain Current Id
4.7A
Continuous Drain Current Id P Channel
4.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.043ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source Voltage Vds P Channel
55V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.043ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (08-Jul-2021)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (08-Jul-2021)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit