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AUIRF7647S2TR
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 24 A, 0.031 ohm, DirectFET SC, Surface Mount
5 934 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,270 $ | 4,27 $ |
| Total Prix | 4,27 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,270 $ |
| 10+ | 2,670 $ |
| 25+ | 2,510 $ |
| 50+ | 2,370 $ |
| 100+ | 2,210 $ |
| 250+ | 2,030 $ |
| 500+ | 1,850 $ |
| 1000+ | 1,660 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantAUIRF7647S2TRCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine91Y4158
Bandes découpées91Y4158
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id24A
On Resistance Rds(on)0.026ohm
Drain Source On State Resistance0.031ohm
Transistor Case StyleDirectFET SC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation41W
Power Dissipation Pd41W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
- Automotive qualified Directed® power MOSFET
- Advanced process technology
- Optimized for class D audio amplifier applications
- Low Rds.(on) for improved efficiency
- Low Qi for better THD and improved efficiency
- Low Qtr. for better THD and lower EMI
- Low parasitic inductance for reduced ringing and lower EMI
- Delivers up to 100W per channel into 8ohm with no heatsink
- Dual sided cooling
- Repetitive avalanche capability for robustness and reliability
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.026ohm
Transistor Case Style
DirectFET SC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
41W
No. of Pins
7Pins
Product Range
HEXFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
24A
Drain Source On State Resistance
0.031ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
41W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit