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AUIRF7732S2TR
MOSFET, AUTO, N-CH, 40V, DIRECTFETSC
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 52 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,170 $ | 4,17 $ |
| Total Prix | 4,17 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,170 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantAUIRF7732S2TRCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Mise en bobine91Y4162
Bandes découpées91Y4162
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id55A
On Resistance Rds(on)0.0055ohm
Drain Source On State Resistance6950µohm
Transistor Case StyleDirectFET SC
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd41W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation41W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0055ohm
Transistor Case Style
DirectFET SC
Power Dissipation Pd
41W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
7Pins
Product Range
HEXFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
55A
Drain Source On State Resistance
6950µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
41W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit