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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 6,790 $ | 6,79 $ |
| Total Prix | 6,79 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,790 $ |
| 10+ | 4,480 $ |
| 25+ | 4,050 $ |
| 50+ | 3,610 $ |
| 100+ | 3,180 $ |
| 250+ | 3,080 $ |
| 500+ | 2,980 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantAUIRF7736M2TRCopie
Code Commande
Mise en bobine91Y4163
Bandes découpées91Y4163
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id108A
Drain Source On State Resistance2500µohm
On Resistance Rds(on)0.0025ohm
Transistor Case StyleDirectFET M4
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd63W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation63W
No. of Pins9Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
2500µohm
Transistor Case Style
DirectFET M4
Power Dissipation Pd
63W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
9Pins
Product Range
HEXFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
108A
On Resistance Rds(on)
0.0025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
63W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit