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AUIRFN8459TR
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 50 A, 0.0048 ohm, PQFN, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantAUIRFN8459TR
Code Commande13AC8121
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 16 semaine(s)
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,120 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
4,12 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantAUIRFN8459TR
Code Commande13AC8121
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel50A
Continuous Drain Current Id P Channel50A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0048ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0048ohm
Transistor Case StylePQFN
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel50W
Power Dissipation P Channel50W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
AUIRFN8459TR is a HEXFET® power MOSFET that utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this product an extremely efficient and reliable device for use in Automotive and wide variety of other applications. Applications include 12V automotive systems, brushed DC motor, braking, and transmission.
- Advanced process technology, dual N-channel MOSFET
- Ultra low on-resistance, fast switching
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
- Automotive qualified
- Dual PQFN package
- Drain-to-source breakdown voltage is 40V at VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C
- Static drain-to-source on-resistance is 4.8mohm typ at VGS = 10V, ID = 40A, TJ = 25°C
- Drain-to-source leakage current is 150µA at VDS = 40V, VGS = 0V, TJ = 125°C
- Total gate charge is 40nC typ at ID = 40A, TJ = 25°C
- Operating junction and storage temperature range from -55 to + 175°C
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
50A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0048ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
50W
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
50A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0048ohm
Transistor Case Style
PQFN
Power Dissipation N Channel
50W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour AUIRFN8459TR
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit