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AUIRFR2905ZTRL
MOSFET, N-CH, 55V, 59A, TO-252
1 262 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,670 $ | 3,67 $ |
| Total Prix | 3,67 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,670 $ |
| 50+ | 3,230 $ |
| 100+ | 2,910 $ |
| 250+ | 2,600 $ |
| 500+ | 2,270 $ |
| 1000+ | 1,950 $ |
| 2500+ | 1,780 $ |
| 5000+ | 1,680 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantAUIRFR2905ZTRLCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Mise en bobine31AJ4615RL
Bandes découpées31AJ4615
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id59A
Drain Source On State Resistance0.0111ohm
On Resistance Rds(on)0.0111ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd110W
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.0111ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
110W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
59A
On Resistance Rds(on)
0.0111ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit