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BAT1504RE6152HTSA1
RF Schottky Diode, Dual Series, 4 V, 110 mA, 300 mV, 0.25 pF, SOT-23
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,765 $ |
| 10+ | 0,574 $ |
| 25+ | 0,526 $ |
| 50+ | 0,477 $ |
| 100+ | 0,429 $ |
| 250+ | 0,383 $ |
| 500+ | 0,337 $ |
| 1000+ | 0,260 $ |
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Minimum: 1
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBAT1504RE6152HTSA1
Code Commande68AC4376
Fiche technique
Diode ConfigurationDual Series
Reverse Voltage4V
Forward Current110mA
Forward Voltage300mV
Forward Voltage VF Max300mV
Diode Capacitance0.25pF
Diode Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Diode MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Silicon RF Schottky diode suitable for use with mixers and detectors in satellite systems, low noise blocks for Ku bands and security systems.
- Silicon low barrier N-type device with integrated guard ring on-chip for over-voltage protection
- Low inductance and low capacitance
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22
- Reverse series pair pin configuration
Spécifications techniques
Diode Configuration
Dual Series
Forward Current
110mA
Forward Voltage VF Max
300mV
Diode Case Style
SOT-23
Diode Mounting
Surface Mount
Product Range
-
Reverse Voltage
4V
Forward Voltage
300mV
Diode Capacitance
0.25pF
No. of Pins
3 Pin
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit