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BAT1504RE6152HTSA1
RF Schottky Diode, Dual Series, 4 V, 110 mA, 300 mV, 0.25 pF, SOT-23
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBAT1504RE6152HTSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Mise en bobine68AC4376RL
Bandes découpées68AC4376
Votre numéro de pièce
1 054 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Mise en bobine | 1 | 1,230 $ | 1,23 $ |
| Total Prix | 1,23 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,230 $ |
| 50+ | 0,799 $ |
| 100+ | 0,547 $ |
| 250+ | 0,493 $ |
| 500+ | 0,439 $ |
| 1000+ | 0,403 $ |
| 2500+ | 0,395 $ |
| 5000+ | 0,388 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBAT1504RE6152HTSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Mise en bobine68AC4376RL
Bandes découpées68AC4376
Fiche technique
Aperçu du produit
Silicon RF Schottky diode suitable for use with mixers and detectors in satellite systems, low noise blocks for Ku bands and security systems.
- Silicon low barrier N-type device with integrated guard ring on-chip for over-voltage protection
- Low inductance and low capacitance
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22
- Reverse series pair pin configuration
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit