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BFP740FH6327XTSA1
Bipolar - RF Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBFP740FH6327XTSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande
Mise en bobine98Y5998RL
Bandes découpées98Y5998
Votre numéro de pièce
2 821 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Mise en bobine | 1 | 0,898 $ | 0,90 $ |
| Frais de mise en bobine | 5,00 $ | ||
| Total Prix | 5,90 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,898 $ |
| 10+ | 0,630 $ |
| 25+ | 0,565 $ |
| 50+ | 0,529 $ |
| 100+ | 0,490 $ |
| 250+ | 0,455 $ |
| 500+ | 0,435 $ |
| 1000+ | 0,417 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBFP740FH6327XTSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande
Mise en bobine98Y5998RL
Bandes découpées98Y5998
Fiche technique
Aperçu du produit
The BFP 740F H6327 is a NPN linear wideband Bipolar RF Transistor based on Infineon's reliable high volume silicon germanium carbon hetero-junction bipolar technology. With its high linearity at currents as low as 10mA, the device supports energy efficient designs. The typical transition frequency is approximately 45GHz, hence the device offers high power gain at frequencies up to 10GHz in amplifier applications. The device is housed in a thin small flat plastic package with visible leads.
- Very low-noise amplifier
- Low power consumption
- Halogen-free
Documents techniques (4)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit