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BFP740FH6327XTSA1
Bipolar - RF Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBFP740FH6327XTSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande
Mise en bobine98Y5998RL
Bandes découpées98Y5998
Votre numéro de pièce
2 821 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,898 $ | 0,90 $ |
| Total Prix | 0,90 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,898 $ |
| 10+ | 0,630 $ |
| 25+ | 0,565 $ |
| 50+ | 0,529 $ |
| 100+ | 0,490 $ |
| 250+ | 0,455 $ |
| 500+ | 0,435 $ |
| 1000+ | 0,417 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBFP740FH6327XTSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande
Mise en bobine98Y5998RL
Bandes découpées98Y5998
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max4V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo4V
Transition Frequency45GHz
Power Dissipation Pd160mW
Power Dissipation160mW
DC Collector Current45mA
Continuous Collector Current45mA
RF Transistor CaseTSFP
Transistor Case StyleTSFP
No. of Pins4Pins
DC Current Gain hFE250hFE
DC Current Gain hFE Min250hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BFP 740F H6327 is a NPN linear wideband Bipolar RF Transistor based on Infineon's reliable high volume silicon germanium carbon hetero-junction bipolar technology. With its high linearity at currents as low as 10mA, the device supports energy efficient designs. The typical transition frequency is approximately 45GHz, hence the device offers high power gain at frequencies up to 10GHz in amplifier applications. The device is housed in a thin small flat plastic package with visible leads.
- Very low-noise amplifier
- Low power consumption
- Halogen-free
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
4V
Power Dissipation Pd
160mW
DC Collector Current
45mA
RF Transistor Case
TSFP
No. of Pins
4Pins
DC Current Gain hFE Min
250hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
4V
Transition Frequency
45GHz
Power Dissipation
160mW
Continuous Collector Current
45mA
Transistor Case Style
TSFP
DC Current Gain hFE
250hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (4)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit