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BSC004NE2LS5ATMA1
MOSFET, N-CH, 25V, 479A, TDSON
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Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 5,110 $ | 5,11 $ |
| Total Prix | 5,11 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,110 $ |
| 10+ | 3,340 $ |
| 25+ | 3,120 $ |
| 50+ | 2,880 $ |
| 100+ | 2,660 $ |
| 250+ | 2,510 $ |
| 500+ | 2,340 $ |
| 1000+ | 2,240 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC004NE2LS5ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Mise en bobine32AJ0257
Bandes découpées32AJ0257
Gamme de produitOptiMOS 5
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id479A
On Resistance Rds(on)400µohm
Drain Source On State Resistance400µohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation188W
Power Dissipation Pd188W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 5
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
On Resistance Rds(on)
400µohm
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
188W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 5
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
479A
Drain Source On State Resistance
400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation Pd
188W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit