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BSC010N04LSATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, TDSON, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC010N04LSATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant51 semaines
Code Commande
Mise en bobine50Y1792RL
Bandes découpées50Y1792
Egalement appeléBSC010N04LS, SP000928282
Votre numéro de pièce
49 267 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,250 $ | 3,25 $ |
| Total Prix | 3,25 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,250 $ |
| 50+ | 1,820 $ |
| 100+ | 1,700 $ |
| 250+ | 1,600 $ |
| 500+ | 1,500 $ |
| 1000+ | 1,470 $ |
| 2500+ | 1,450 $ |
| 5000+ | 1,420 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC010N04LSATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant51 semaines
Code Commande
Mise en bobine50Y1792RL
Bandes découpées50Y1792
Egalement appeléBSC010N04LS, SP000928282
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)850µohm
Drain Source On State Resistance0.001ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd139W
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation139W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BSC010N04LS is a 40V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification. This MOSFET features not only the industry's lowest RDS (on) but also a perfect switching behaviour for fast switching applications. 15% lower RDS (on) and 31% lower Figure of Merit (RDS (on) x Qg) compared to alternative devices has been realized by advanced thin wafer technology. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Saving space
- Very low voltage overshoot
- Superior thermal resistance
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
850µohm
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.001ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
139W
Power Dissipation
139W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour BSC010N04LSATMA1
7 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit