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BSC014N04LSATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC014N04LSATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Bobine complète89AK3073
Mise en bobine31Y0555RL
Bandes découpées31Y0555
Egalement appeléBSC014N04LS, SP000871196
Votre numéro de pièce
5 905 En Stock
5 905 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 2,590 $ | 12,95 $ |
| Total Prix | 12,95 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 2,590 $ |
| 10+ | 1,230 $ |
| 15+ | 1,200 $ |
| 25+ | 1,170 $ |
| 50+ | 1,130 $ |
| 125+ | 1,100 $ |
| 250+ | 1,080 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5000+ | 1,020 $ |
| 15000+ | 0,995 $ |
| 25000+ | 0,976 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC014N04LSATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Bobine complète89AK3073
Mise en bobine31Y0555RL
Bandes découpées31Y0555
Egalement appeléBSC014N04LS, SP000871196
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)0.0011ohm
Drain Source On State Resistance1400µohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd96W
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation96W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BSC014N04LS is a N-channel Power MOSFET features not only the industry's lowest RDS (ON) but also a perfect switching behaviour for fast switching applications. 15% lower RDS (ON) and 31% lower figure of merit (RDS (ON) x Qg) compared to alternative devices has been realized by advanced thin wafer technology.
- Optimized for synchronous rectification
- Integrated Schottky-like diode
- 100% Avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Higher solder joint reliability due to enlarged source interconnection
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Halogen-free
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0011ohm
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
1400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
96W
Power Dissipation
96W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (4)
Produits de remplacement pour BSC014N04LSATMA1
8 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit