Imprimer la page
BSC027N04LSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 0.0027 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
14 698 En Stock
Vous en voulez davantage ?
196 Stock des États-Unis: livraison standard disponible en 2 à 3 jours si vous commandez avant 18h EST
14502 Stock du Royaume-Uni disponible avec livraison de 4-6 jours ouvrables
Commander avant 18:00
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,490 $ | 2,49 $ |
| Total Prix | 2,49 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,490 $ |
| 10+ | 1,570 $ |
| 25+ | 1,390 $ |
| 50+ | 1,220 $ |
| 100+ | 1,050 $ |
| 250+ | 0,929 $ |
| 500+ | 0,816 $ |
| 1000+ | 0,744 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC027N04LSGATMA1Copie
Code Commande
Mise en bobine97Y1247
Bandes découpées97Y1247
Gamme de produitOptiMOS 3
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)0.0023ohm
Drain Source On State Resistance0.0027ohm
Transistor Case StylePG-TDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation Pd83W
Power Dissipation83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 3
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
- Optima's ™ 3 power transistor
- Fast switching MOSFET for SMPS
- Optimized technology for DC/DC converters
- Qualified according to JEDEC for target applications
- N-channel, logic level
- Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance R DS(on),Superior thermal resistance
- 100% avalanche tested
- Superior thermal resistance
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0023ohm
Transistor Case Style
PG-TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
83W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 3
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.0027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BSC027N04LSGATMA1
1 produit trouvé
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit