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BSC028N06LS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC028N06LS3GATMA1Copie
Code Commande
Mise en bobine79X1328
Bandes découpées79X1328
Egalement appeléBSC028N06LS3 G, SP000453652
Votre numéro de pièce
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 5,680 $ | 5,68 $ |
| Total Prix | 5,68 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,680 $ |
| 10+ | 3,450 $ |
| 25+ | 3,150 $ |
| 50+ | 2,840 $ |
| 100+ | 2,530 $ |
| 250+ | 2,330 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC028N06LS3GATMA1Copie
Code Commande
Mise en bobine79X1328
Bandes découpées79X1328
Egalement appeléBSC028N06LS3 G, SP000453652
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0028ohm
On Resistance Rds(on)0.0023ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd139W
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation139W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BSC028N06LS3 G is a 60V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers, desktops and tablet charger. The MOSFET features 40% lower RDS (on) than alternative devices. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Saving space
- Very low voltage overshoot
- Superior thermal resistance
Applications
Power Management, Alternative Energy, Motor Drive & Control, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0028ohm
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
0.0023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
139W
Power Dissipation
139W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour BSC028N06LS3GATMA1
7 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit