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BSC030N03MSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC030N03MSGATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Mise en bobine79X1330
Bandes découpées79X1330
Egalement appeléBSC030N03MS G, SP000311506
Votre numéro de pièce
1 283 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,420 $ | 2,42 $ |
| Total Prix | 2,42 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,420 $ |
| 10+ | 1,370 $ |
| 25+ | 1,240 $ |
| 50+ | 1,100 $ |
| 100+ | 0,965 $ |
| 250+ | 0,876 $ |
| 500+ | 0,784 $ |
| 1000+ | 0,656 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC030N03MSGATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Mise en bobine79X1330
Bandes découpées79X1330
Egalement appeléBSC030N03MS G, SP000311506
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)0.0025ohm
Drain Source On State Resistance0.003ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd69W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation69W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BSC030N03MS G is an OptiMOS™3 M-series Power-MOSFET optimized for 5V driver application.
- Low FOMSW for high frequency SMPS
- 100% Avalanche tested
- Very low ON-resistance RDS (ON) @ VGS = 4.5V
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Superior thermal resistance
- Halogen-free, Green device
Applications
Power Management, Computers & Computer Peripherals, Portable Devices
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0025ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation Pd
69W
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.003ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
69W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (4)
Produits de remplacement pour BSC030N03MSGATMA1
7 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit