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BSC032NE2LSATMA1
MOSFET, N-CH, 25V, 84A, TDSON
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3 049 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,600 $ | 1,60 $ |
| Total Prix | 1,60 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,600 $ |
| 50+ | 0,995 $ |
| 100+ | 0,651 $ |
| 250+ | 0,578 $ |
| 500+ | 0,504 $ |
| 1000+ | 0,456 $ |
| 2500+ | 0,416 $ |
| 5000+ | 0,407 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC032NE2LSATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Mise en bobine13AC8329RL
Bandes découpées13AC8329
Gamme de produitOptiMOS
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id84A
Drain Source On State Resistance2700µohm
On Resistance Rds(on)0.0027ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd37W
Power Dissipation37W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
2700µohm
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
37W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
84A
On Resistance Rds(on)
0.0027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
37W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit