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BSC047N08NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 100 A, 0.0047 ohm, PG-TSDSON, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC047N08NS3GATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande60R2492
Egalement appeléSP000436372
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,440 $ |
| 10+ | 2,950 $ |
| 100+ | 2,060 $ |
| 500+ | 1,820 $ |
| 1000+ | 1,750 $ |
| 2500+ | 1,720 $ |
| 5000+ | 1,650 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
4,44 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC047N08NS3GATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande60R2492
Egalement appeléSP000436372
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0047ohm
On Resistance Rds(on)0.0039ohm
Transistor Case StylePG-TDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd125W
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BSC047N08NS3 G is a 80V N-channel Power MOSFET that offers superior solutions for high efficiency and high power-density SMPS. The OptiMOS™ MOSFET offers industry's lowest RDS (on) within the voltage classes. It is ideally suited for high frequency switching applications and optimized technology for DC-DC converters.
- Dual sided cooling
- Low parasitic inductance
- Low profile (<lt/>0.7mm)
- Reduced switching and conduction losses
- Very low on-resistance RDS(on)
- Superior thermal resistance
Applications
Alternative Energy, Consumer Electronics, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Power Management, LED Lighting, Motor Drive & Control
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
0.0039ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
125W
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0047ohm
Transistor Case Style
PG-TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour BSC047N08NS3GATMA1
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits