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BSC0500NSIATMA1
MOSFET, N-CH, 30V, 150DEG C, 69W
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9 096 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,950 $ | 2,95 $ |
| Total Prix | 2,95 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,950 $ |
| 50+ | 1,900 $ |
| 100+ | 1,300 $ |
| 250+ | 1,180 $ |
| 500+ | 1,050 $ |
| 1000+ | 0,966 $ |
| 2500+ | 0,920 $ |
| 5000+ | 0,902 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC0500NSIATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Mise en bobine39AH8770RL
Bandes découpées39AH8770
Gamme de produitOptiMOS 5
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)0.0011ohm
Drain Source On State Resistance1100µohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd69W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation69W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 5
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0011ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation Pd
69W
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 5
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
1100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
69W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour BSC0500NSIATMA1
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit