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BSC057N08NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 100 A, 0.0057 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC057N08NS3GATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4449
Mise en bobine79X1332RL
Bandes découpées79X1332
Egalement appeléBSC057N08NS3 G, SP000447542
Votre numéro de pièce
70 En Stock
70 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 3,290 $ | 16,45 $ |
| Total Prix | 16,45 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 3,290 $ |
| 50+ | 2,120 $ |
| 100+ | 1,430 $ |
| 250+ | 1,290 $ |
| 500+ | 1,140 $ |
| 1000+ | 1,050 $ |
| 2500+ | 1,030 $ |
| 5000+ | 1,010 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5000+ | 1,090 $ |
| 15000+ | 1,070 $ |
| 25000+ | 1,040 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC057N08NS3GATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4449
Mise en bobine79X1332RL
Bandes découpées79X1332
Egalement appeléBSC057N08NS3 G, SP000447542
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)0.0047ohm
Drain Source On State Resistance0.0057ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd114W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation114W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BSC057N08NS3 G is a 80V N-channel Power MOSFET that offers superior solutions for high efficiency and high power-density SMPS. The OptiMOS™ MOSFET offers industry's lowest RDS (on) within the voltage classes. It is ideally suited for high frequency switching applications and optimized technology for DC-DC converters.
- Dual sided cooling
- Low parasitic inductance
- Low profile (<lt/>0.7mm)
- Reduced switching and conduction losses
- Very low on-resistance RDS(on)
- Superior thermal resistance
Applications
Alternative Energy, Consumer Electronics, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Power Management, LED Lighting, Motor Drive & Control
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.0047ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation Pd
114W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.0057ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
114W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BSC057N08NS3GATMA1
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit