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BSC060N10NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 90 A, 0.006 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC060N10NS3GATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4451
Mise en bobine79X1333RL
Bandes découpées79X1333
Egalement appeléBSC060N10NS3 G, SP000446584
Votre numéro de pièce
18 881 En Stock
18 881 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,340 $ | 4,34 $ |
| Total Prix | 4,34 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,340 $ |
| 50+ | 2,160 $ |
| 100+ | 1,950 $ |
| 250+ | 1,790 $ |
| 500+ | 1,440 $ |
| 1000+ | 1,410 $ |
| 2500+ | 1,380 $ |
| 5000+ | 1,360 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5000+ | 1,330 $ |
| 15000+ | 1,300 $ |
| 25000+ | 1,270 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC060N10NS3GATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4451
Mise en bobine79X1333RL
Bandes découpées79X1333
Egalement appeléBSC060N10NS3 G, SP000446584
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id90A
On Resistance Rds(on)0.0053ohm
Drain Source On State Resistance0.006ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd125W
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BSC060N10NS3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM.
- Excellent switching performance
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Environmentally friendly
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- Halogen-free
- MSL1 rated 2
Applications
Power Management, Audio, Motor Drive & Control, Industrial, Automotive
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0053ohm
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Drain Source On State Resistance
0.006ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
125W
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BSC060N10NS3GATMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit