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BSC060P03NS3EGATMA1
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 110 A, 0.006 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC060P03NS3EGATMA1Copie
Code Commande
Mise en bobine79X1334
Bandes découpées79X1334
Egalement appeléBSC060P03NS3E G, SP000472984
Votre numéro de pièce
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,140 $ | 2,14 $ |
| Total Prix | 2,14 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,140 $ |
| 10+ | 1,380 $ |
| 25+ | 1,250 $ |
| 50+ | 1,120 $ |
| 100+ | 0,986 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC060P03NS3EGATMA1Copie
Code Commande
Mise en bobine79X1334
Bandes découpées79X1334
Egalement appeléBSC060P03NS3E G, SP000472984
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id110A
On Resistance Rds(on)0.0041ohm
Drain Source On State Resistance0.006ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd83W
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BSC060P03NS3E G is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
- Enhancement-mode
- Normal level, logic level or super logic level
- 100% Avalanche rated
- ESD Protected
- Qualified to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0041ohm
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
110A
Drain Source On State Resistance
0.006ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
83W
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BSC060P03NS3EGATMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit