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BSC077N12NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 120 V, 98 A, 0.0077 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC077N12NS3GATMA1
Code Commande79X1335
Egalement appeléBSC077N12NS3 G, SP000652750
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,760 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,76 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC077N12NS3GATMA1
Code Commande79X1335
Egalement appeléBSC077N12NS3 G, SP000652750
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id98A
Drain Source On State Resistance7700µohm
On Resistance Rds(on)0.0066ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd139W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation139W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The BSC077N12NS3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers at the same time the lowest ON-state resistances of the industry and the fastest switching behaviour, allowing for the achievement of outstanding performance in a wide range of applications. The 120V OptiMOS™ technology gives new possibilities for optimized solutions.
- Excellent switching performance
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- MSL1 rated 2
- Environmentally friendly
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- Qualified according to JEDE for target applications
- Halogen-free, Green device
- Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
- Normal level
Applications
Power Management, Motor Drive & Control, Computers & Computer Peripherals, Portable Devices, LED Lighting
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
120V
Drain Source On State Resistance
7700µohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation Pd
139W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
98A
On Resistance Rds(on)
0.0066ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
139W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour BSC077N12NS3GATMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit