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BSC0802LSATMA1
MOSFET, N-CH, 100V, 100A, PG-TDSON
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757 En Stock
Disponible jusqu à épuisement du stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 6,330 $ | 6,33 $ |
| Total Prix | 6,33 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,330 $ |
| 50+ | 4,130 $ |
| 100+ | 3,220 $ |
| 250+ | 2,970 $ |
| 500+ | 2,700 $ |
| 1000+ | 2,500 $ |
| 2500+ | 2,340 $ |
| 5000+ | 2,300 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC0802LSATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande
Mise en bobine78AH7107RL
Bandes découpées78AH7107
Gamme de produitOptiMOS 5
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)0.0028ohm
Drain Source On State Resistance3400µohm
Transistor Case StylePG-TDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation Pd156W
Power Dissipation156W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 5
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0028ohm
Transistor Case Style
PG-TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
156W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 5
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
3400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
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Certificat de conformité du produit