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BSC109N10NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 63 A, 0.0109 ohm, TDSON, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,630 $ |
| 10+ | 1,660 $ |
| 25+ | 1,530 $ |
| 50+ | 1,390 $ |
| 100+ | 1,270 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC109N10NS3GATMA1
Code Commande47Y7998
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id63A
On Resistance Rds(on)0.0098ohm
Drain Source On State Resistance0.0109ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation Pd78W
Power Dissipation78W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour BSC109N10NS3GATMA1
1 produit trouvé
Aperçu du produit
- OptiMOS™3 power transistor
- Very low gate charge for high frequency applications
- Optimized for DC-DC conversion
- N-channel, normal level
- Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance RDS(on)
- Qualified according to JEDEC for target applications
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0098ohm
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
78W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
63A
Drain Source On State Resistance
0.0109ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Power Dissipation
78W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit