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BSC160N10NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 42 A, 0.016 ohm, TDSON, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,160 $ |
| 10+ | 1,990 $ |
| 25+ | 1,780 $ |
| 50+ | 1,560 $ |
| 100+ | 1,350 $ |
| 250+ | 1,200 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC160N10NS3GATMA1Copie
Code Commande47Y7999
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id42A
Drain Source On State Resistance0.016ohm
On Resistance Rds(on)0.0139ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation60W
Power Dissipation Pd60W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
- Optima's ™ 3 power transistor
- Optimized for DC-DC conversion
- N-channel, normal level
- Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance RDS(on)
- Qualified according to JEDEC for target applications
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.016ohm
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
60W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
42A
On Resistance Rds(on)
0.0139ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Power Dissipation Pd
60W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit