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BSD235CH6327XTSA1
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSD235CH6327XTSA1Copie
Code Commande
Mise en bobine47Y8000
Bandes découpées47Y8000
Egalement appeléBSD235C H6327, SP000917610
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,794 $ | 3,97 $ |
| Total Prix | 3,97 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,794 $ |
| 10+ | 0,488 $ |
| 25+ | 0,427 $ |
| 50+ | 0,369 $ |
| 100+ | 0,308 $ |
| 250+ | 0,269 $ |
| 500+ | 0,230 $ |
| 1000+ | 0,205 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSD235CH6327XTSA1Copie
Code Commande
Mise en bobine47Y8000
Bandes découpées47Y8000
Egalement appeléBSD235C H6327, SP000917610
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id950mA
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id N Channel950mA
Continuous Drain Current Id P Channel950mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.266ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.266ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel500mW
Power Dissipation P Channel500mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BSD235C H6327 is a N/P-channel Power MOSFET within the same package are part of Infineon's famous low voltage OptiMOS™ families, the market leader in high efficiency solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle). It is suitable for use with DC to Dc converters and on-board charger applications.
- Complementary P + N channel
- Enhancement-mode
- Avalanche rated
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id
950mA
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
950mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.266ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
500mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
950mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.266ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit