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BSP125H6433XTMA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Surface Mount
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| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,310 $ | 0,31 $ |
| Total Prix | 0,31 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,310 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSP125H6433XTMA1Copie
Code Commande
Mise en bobine34AC1381
Bandes découpées34AC1381
Gamme de produitSIPMOS
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id120mA
On Resistance Rds(on)25ohm
Drain Source On State Resistance45ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation Pd1.8W
Power Dissipation1.8W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSIPMOS
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
- 600V, 0.12A SIPMOS® N-channel power transistor in 4 pin SOT-223 package
- Enhancement mode
- Logic level
- dv/dt rated
- Qualified according to AEC Q101
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
25ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1.8W
No. of Pins
4Pins
Product Range
SIPMOS
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
120mA
Drain Source On State Resistance
45ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
Power Dissipation
1.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BSP125H6433XTMA1
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit