Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

8 545 En Stock
8 545 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,960 $ | 1,96 $ |
| Total Prix | 1,96 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,960 $ |
| 50+ | 1,280 $ |
| 100+ | 0,895 $ |
| 250+ | 0,834 $ |
| 500+ | 0,682 $ |
| 1000+ | 0,633 $ |
| 2500+ | 0,591 $ |
| 5000+ | 0,580 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 4000+ | 0,585 $ |
| 12000+ | 0,538 $ |
| 20000+ | 0,519 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSP125H6433XTMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4500
Mise en bobine34AC1381RL
Bandes découpées34AC1381
Gamme de produitSIPMOS
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id120mA
On Resistance Rds(on)25ohm
Drain Source On State Resistance45ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation Pd1.8W
Power Dissipation1.8W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSIPMOS
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
- 600V, 0.12A SIPMOS® N-channel power transistor in 4 pin SOT-223 package
- Enhancement mode
- Logic level
- dv/dt rated
- Qualified according to AEC Q101
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
25ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1.8W
No. of Pins
4Pins
Product Range
SIPMOS
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
120mA
Drain Source On State Resistance
45ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
Power Dissipation
1.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BSP125H6433XTMA1
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
