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BSS139H6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSS139H6327XTSA1
Code Commande
Bobine complète86AK4542
Mise en bobine87X8601
Bandes découpées87X8601
Votre numéro de pièce
Fiche technique
Disponible jusqu à épuisement du stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,947 $ |
| 10+ | 0,534 $ |
| 25+ | 0,486 $ |
| 50+ | 0,437 $ |
| 100+ | 0,388 $ |
| 250+ | 0,376 $ |
| 500+ | 0,360 $ |
| 1000+ | 0,321 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 0,248 $ |
| 12000+ | 0,239 $ |
| 24000+ | 0,224 $ |
| 36000+ | 0,218 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSS139H6327XTSA1
Code Commande
Bobine complète86AK4542
Mise en bobine87X8601
Bandes découpées87X8601
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id100mA
On Resistance Rds(on)7.8ohm
Drain Source On State Resistance14ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max-1.4V
Power Dissipation Pd360mW
Power Dissipation360mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour BSS139H6327XTSA1
1 produit trouvé
Aperçu du produit
BSS139H6327XTSA1 is a N-channel, SIPMOS® small signal transistor in a PG-SOT-23 package.
- Depletion mode, dv /dt rated
- 0.10A continuous drain current (at T j=25°C), 0.4A pulsed drain current (TA=25°C)
- 6kV/µs reverse diode dv /dt (D=0.1A, VDS=200V, di /dt =200A/µs, T j max=150°C)
- Gate source voltage is ±20V, 350K/W max thermal resistance, junction (ambient)
- 250V minimum drain-source breakdown voltage (VGS=-3V, ID=250µA)
- Gate threshold voltage range from -2.1 to -1V (VDS=3V, ID=56µA)
- 30mA minimum on-state drain current (VGS=0V, VDS=10V)
- 0.13S typical transconductance ( VDS <gt/>2 ID RDS(on)max, ID=0.08A)
- Operating and storage temperature range from -55 to 150°C
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
On Resistance Rds(on)
7.8ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
360mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100mA
Drain Source On State Resistance
14ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
-1.4V
Power Dissipation
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
-
Documents techniques (4)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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