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BSS84PH6327XTSA2
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSS84PH6327XTSA2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant13 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4572
Mise en bobine96K7114RL
Bandes découpées96K7114
Gamme de produitSIPMOS Series
Egalement appeléBSS84P H6327, SP000929186
Votre numéro de pièce
288 599 En Stock
288 599 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,408 $ | 0,41 $ |
| Total Prix | 0,41 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,408 $ |
| 50+ | 0,254 $ |
| 100+ | 0,165 $ |
| 250+ | 0,146 $ |
| 500+ | 0,126 $ |
| 1000+ | 0,114 $ |
| 2500+ | 0,111 $ |
| 5000+ | 0,109 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 18000+ | 0,084 $ |
| 54000+ | 0,077 $ |
| 90000+ | 0,076 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSS84PH6327XTSA2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant13 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4572
Mise en bobine96K7114RL
Bandes découpées96K7114
Gamme de produitSIPMOS Series
Egalement appeléBSS84P H6327, SP000929186
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id170mA
On Resistance Rds(on)8ohm
Drain Source On State Resistance8ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd360mW
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation360mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSIPMOS Series
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BSS84P H6327 from Infineon is surface mount, P channel logic level enhancement mode SIPMOS small signal transistor in SOT-23 package. The device features dv/dt and Avalanche ratings.
- Automotive grade AEC-Q101 qualified
- Drain to source voltage (Vds) of -60V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of -170mA
- Power dissipation (pd) of 360mW
- Operating temperature range from -55°C to 150°C
- Low on state resistance of 8ohm at Vgs -4.5V
Applications
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial, Automotive
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
8ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SIPMOS Series
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
170mA
Drain Source On State Resistance
8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
360mW
Power Dissipation
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour BSS84PH6327XTSA2
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit