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BSZ018NE2LSIATMA1
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 40 A, 0.0018 ohm, TSDSON, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSZ018NE2LSIATMA1Copie
Code Commande
Mise en bobine50Y1828
Bandes découpées50Y1828
Votre numéro de pièce
2 105 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,900 $ | 2,90 $ |
| Total Prix | 2,90 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,900 $ |
| 10+ | 1,590 $ |
| 25+ | 1,460 $ |
| 50+ | 1,340 $ |
| 100+ | 1,210 $ |
| 250+ | 1,130 $ |
| 500+ | 1,050 $ |
| 1000+ | 0,973 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSZ018NE2LSIATMA1Copie
Code Commande
Mise en bobine50Y1828
Bandes découpées50Y1828
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id40A
On Resistance Rds(on)0.0015ohm
Drain Source On State Resistance0.0018ohm
Transistor Case StyleTSDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd69W
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation69W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
On Resistance Rds(on)
0.0015ohm
Transistor Case Style
TSDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
0.0018ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
69W
Power Dissipation
69W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BSZ018NE2LSIATMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit