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BSZ0503NSIATMA1
MOSFET, N-CH, 30V, 82A, TSDSON-FL
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2 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,100 $ | 2,10 $ |
| Total Prix | 2,10 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,100 $ |
| 50+ | 0,984 $ |
| 100+ | 0,876 $ |
| 250+ | 0,780 $ |
| 500+ | 0,684 $ |
| 1000+ | 0,670 $ |
| 2500+ | 0,656 $ |
| 5000+ | 0,642 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSZ0503NSIATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Mise en bobine58AJ1686RL
Bandes découpées58AJ1686
Gamme de produitOptiMOS 5
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id82A
On Resistance Rds(on)0.0028ohm
Drain Source On State Resistance2800µohm
Transistor Case StyleTSDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd36W
Power Dissipation36W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 5
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0028ohm
Transistor Case Style
TSDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
36W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 5
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
82A
Drain Source On State Resistance
2800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
36W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit