Imprimer la page
8 795 En Stock
Vous en voulez davantage ?
2660 Stock des États-Unis: livraison standard disponible en 2 à 3 jours si vous commandez avant 18h EST
6135 Stock du Royaume-Uni disponible avec livraison de 4-6 jours ouvrables
Commander avant 18:00
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,210 $ | 2,21 $ |
| Total Prix | 2,21 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,210 $ |
| 10+ | 1,520 $ |
| 25+ | 1,440 $ |
| 50+ | 1,350 $ |
| 100+ | 1,260 $ |
| 250+ | 1,230 $ |
| 500+ | 1,200 $ |
| 1000+ | 1,170 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSZ075N08NS5ATMA1Copie
Code Commande
Mise en bobine12AC9456
Bandes découpées12AC9456
Gamme de produitOptiMOS 5
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
On Resistance Rds(on)0.0062ohm
Transistor Case StyleTSDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd69W
Power Dissipation69W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 5
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
Optima's™ 5 power transistorIdeal for high frequency switching and synchronous rectification.
- Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance RDS(on)
- N-channel, normal level
- 100% avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Higher solder joint reliability with enlarged source interconnection
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Transistor Case Style
TSDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
69W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 5
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
On Resistance Rds(on)
0.0062ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
69W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour BSZ075N08NS5ATMA1
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit

