Imprimer la page
BSZ086P03NS3EGATMA1
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 40 A, 8.6 mohm, TSDSON, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSZ086P03NS3EGATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Bobine complète87AK5513
Mise en bobine50Y1832RL
Bandes découpées50Y1832
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 1,720 $ | 8,60 $ |
| Total Prix | 8,60 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,720 $ |
| 10+ | 1,080 $ |
| 15+ | 0,988 $ |
| 25+ | 0,895 $ |
| 50+ | 0,802 $ |
| 125+ | 0,711 $ |
| 250+ | 0,631 $ |
| 500+ | 0,552 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5000+ | 0,444 $ |
| 15000+ | 0,400 $ |
| 25000+ | 0,392 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSZ086P03NS3EGATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Bobine complète87AK5513
Mise en bobine50Y1832RL
Bandes découpées50Y1832
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id40A
On Resistance Rds(on)0.0065ohm
Drain Source On State Resistance8.6mohm
Transistor Case StyleTSDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation69W
Power Dissipation Pd69W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
Optima's™ P3 power transistor suitable for battery management, load switching applications.
- Single P-channel
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Specially suited for notebook applications (VGS=25V)
- ESD protected
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0065ohm
Transistor Case Style
TSDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
69W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
8.6mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
69W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit