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BSZ120P03NS3GATMA1
MOSFET, P-CH, -30V, -40A, PG-TSDSON-8
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSZ120P03NS3GATMA1
Code Commande97Y1270
Gamme de produitOptiMOS P3
Fiche technique
6 162 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,120 $ |
| 10+ | 0,793 $ |
| 25+ | 0,741 $ |
| 50+ | 0,641 $ |
| 100+ | 0,541 $ |
| 250+ | 0,497 $ |
| 500+ | 0,452 $ |
| 1000+ | 0,380 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,12 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSZ120P03NS3GATMA1
Code Commande97Y1270
Gamme de produitOptiMOS P3
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.009ohm
On Resistance Rds(on)0.009ohm
Transistor Case StylePG-TSDSON
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd52W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS P3
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.009ohm
Transistor Case Style
PG-TSDSON
Power Dissipation Pd
52W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS P3
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
40A
On Resistance Rds(on)
0.009ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits