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BSZ123N08NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 40 A, 0.0123 ohm, PG-TSDSON, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSZ123N08NS3GATMA1Copie
Code Commande60R2542
Egalement appeléBSZ123N08NS3 G, SP000443632
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 57 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,770 $ |
| 10+ | 1,840 $ |
| 100+ | 1,240 $ |
| 500+ | 0,978 $ |
| 1000+ | 0,896 $ |
| 2500+ | 0,846 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,77 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSZ123N08NS3GATMA1Copie
Code Commande60R2542
Egalement appeléBSZ123N08NS3 G, SP000443632
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id40A
On Resistance Rds(on)0.0103ohm
Drain Source On State Resistance0.0123ohm
Transistor Case StylePG-TSDSON
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd66W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation66W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BSZ123N08NS3 G is a 80V N-channel Power MOSFET that offers highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle). The OptiMOS™ MOSFET offers industry's lowest RDS (on) within the voltage classes. It is ideally suited for high frequency switching applications and optimized technology for DC-DC converters.
- Dual sided cooling
- Low parasitic inductance
- Low profile (<lt/>0.7mm)
- Reduced switching and conduction losses
- Superior thermal resistance
Applications
Alternative Energy, Consumer Electronics, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Power Management, LED Lighting, Motor Drive & Control
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
0.0123ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
66W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.0103ohm
Transistor Case Style
PG-TSDSON
Power Dissipation Pd
66W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour BSZ123N08NS3GATMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits