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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSZ16DN25NS3GATMA1Copie
Code Commande13AC8356
Gamme de produitOptiMOS 3
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id10.9A
Drain Source On State Resistance0.165ohm
On Resistance Rds(on)0.146ohm
Transistor Case StyleTSDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd62.5W
Power Dissipation62.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 3
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
- Optima's™ 3 power transistor
- Optimized for DC-DC conversion
- N-channel, normal level
- Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
- Low on-resistance RDS(on)
- Qualified according to JEDEC for target applications
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.165ohm
Transistor Case Style
TSDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
62.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 3
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
10.9A
On Resistance Rds(on)
0.146ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit