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BSZ180P03NS3EGATMA1
MOSFET, P-CH, -30V, -39.6A, PG-TSDSON-8
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSZ180P03NS3EGATMA1
Code Commande97Y1272
Gamme de produitOptiMOS P3
Fiche technique
26 519 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,946 $ |
| 10+ | 0,734 $ |
| 25+ | 0,672 $ |
| 50+ | 0,611 $ |
| 100+ | 0,548 $ |
| 250+ | 0,490 $ |
| 500+ | 0,431 $ |
| 1000+ | 0,333 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,95 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSZ180P03NS3EGATMA1
Code Commande97Y1272
Gamme de produitOptiMOS P3
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id39.6A
On Resistance Rds(on)0.0135ohm
Drain Source On State Resistance0.0135ohm
Transistor Case StylePG-TSDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd40W
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation40W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS P3
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0135ohm
Transistor Case Style
PG-TSDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS P3
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
39.6A
Drain Source On State Resistance
0.0135ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
40W
Power Dissipation
40W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits