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BSZ900N20NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 15.2 A, 0.09 ohm, PG-TSDSON, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSZ900N20NS3GATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Mise en bobine79X1341RL
Bandes découpées79X1341
Egalement appeléBSZ900N20NS3 G, SP000781806
Votre numéro de pièce
3 647 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,590 $ | 2,59 $ |
| Total Prix | 2,59 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,590 $ |
| 50+ | 1,250 $ |
| 100+ | 1,120 $ |
| 250+ | 1,000 $ |
| 500+ | 0,889 $ |
| 1000+ | 0,871 $ |
| 2500+ | 0,854 $ |
| 5000+ | 0,836 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSZ900N20NS3GATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Mise en bobine79X1341RL
Bandes découpées79X1341
Egalement appeléBSZ900N20NS3 G, SP000781806
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id15.2A
On Resistance Rds(on)0.077ohm
Drain Source On State Resistance0.09ohm
Transistor Case StyleTSDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd62.5W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation62.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BSZ900N20NS3 G is a N-channel Power MOSFET with performance leading OptiMOS™ benchmark technology. It is perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-to-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters.
- Industry's lowest RDS (ON)
- Lowest Qg and Qgd
- World's lowest FOM and MSL 1 rated
- Highest efficiency
- Highest power density
- Minimal device paralleling required
- Environmentally friendly
- Easy-to-design-in products
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free, Green device
Applications
Industrial, Audio, LED Lighting, Motor Drive & Control, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.077ohm
Transistor Case Style
TSDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
15.2A
Drain Source On State Resistance
0.09ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
62.5W
Power Dissipation
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour BSZ900N20NS3GATMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit