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DF80R12W2H3FB11BPSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 80 A, 1.55 V, 150 °C, Module
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantDF80R12W2H3FB11BPSA1
Code Commande22AJ2153
Gamme de produitEasyPACK CoolSiC
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 121,160 $ |
| 5+ | 113,830 $ |
| 10+ | 106,520 $ |
| 30+ | 99,190 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
121,16 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantDF80R12W2H3FB11BPSA1
Code Commande22AJ2153
Gamme de produitEasyPACK CoolSiC
Fiche technique
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Continuous Collector Current80A
DC Collector Current80A
Collector Emitter Saturation Voltage1.55V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.55V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature, Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEasyPACK CoolSiC
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
80A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.55V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Collector Current
80A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.55V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Product Range
EasyPACK CoolSiC
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits