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GS0650111LMRXUSA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,860 $ |
| 10+ | 5,160 $ |
| 25+ | 4,730 $ |
| 50+ | 4,290 $ |
| 100+ | 3,730 $ |
| 250+ | 2,950 $ |
| 500+ | 2,800 $ |
| 1000+ | 2,630 $ |
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Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantGS0650111LMRXUSA1
Code Commande42AM5328
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.19ohm
Typical Gate Charge2.2nC
Transistor Case StylePDFN
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Case Style
PDFN
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
11A
Typical Gate Charge
2.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit