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GS0650111LMRXUSA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantGS0650111LMRXUSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine42AM5328RL
Bandes découpées42AM5328
Votre numéro de pièce
170 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Mise en bobine | 1 | 7,910 $ | 7,91 $ |
| Total Prix | 7,91 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,910 $ |
| 50+ | 4,140 $ |
| 100+ | 3,780 $ |
| 250+ | 3,710 $ |
| 500+ | 3,630 $ |
| 1000+ | 3,560 $ |
| 2500+ | 3,470 $ |
| 5000+ | 3,400 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantGS0650111LMRXUSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine42AM5328RL
Bandes découpées42AM5328
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.19ohm
Typical Gate Charge2.2nC
Transistor Case StylePDFN
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Case Style
PDFN
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
11A
Typical Gate Charge
2.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit