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IAUC60N10S5L110ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 60 A, 0.011 ohm, TDSON, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIAUC60N10S5L110ATMA1Copie
Code Commande
Mise en bobine20AM6486
Bandes découpées20AM6486
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
Votre numéro de pièce
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,660 $ | 2,66 $ |
| Total Prix | 2,66 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,660 $ |
| 10+ | 1,700 $ |
| 25+ | 1,510 $ |
| 50+ | 1,320 $ |
| 100+ | 1,140 $ |
| 250+ | 1,020 $ |
| 500+ | 0,896 $ |
| 1000+ | 0,780 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIAUC60N10S5L110ATMA1Copie
Code Commande
Mise en bobine20AM6486
Bandes découpées20AM6486
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.011ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation88W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 5 Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
88W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.011ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 5 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit