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IGB110S10S1XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGB110S10S1XTMA1
Code Commande26AM1112
Gamme de produitCoolGaN Series
Fiche technique
1 000 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,510 $ |
| 10+ | 1,600 $ |
| 25+ | 1,440 $ |
| 50+ | 1,270 $ |
| 100+ | 1,100 $ |
| 250+ | 0,982 $ |
| 500+ | 0,871 $ |
| 1000+ | 0,841 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,51 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGB110S10S1XTMA1
Code Commande26AM1112
Gamme de produitCoolGaN Series
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id23A
Drain Source On State Resistance0.011ohm
Typical Gate Charge3.4nC
Transistor Case StyleTSON
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins4Pins
Product RangeCoolGaN Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.011ohm
Transistor Case Style
TSON
No. of Pins
4Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
23A
Typical Gate Charge
3.4nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit