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IGLD60R070D1AUMA3
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 V, 15 A, 70 mohm, 5.8 nC, LSON, Surface Mount
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6 063 En Stock
Disponible jusqu à épuisement du stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 13,790 $ | 13,79 $ |
| Total Prix | 13,79 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 13,790 $ |
| 50+ | 11,790 $ |
| 100+ | 10,700 $ |
| 250+ | 10,120 $ |
| 500+ | 9,550 $ |
| 1000+ | 9,300 $ |
| 2500+ | 9,060 $ |
| 5000+ | 8,810 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGLD60R070D1AUMA3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Mise en bobine58AJ2273RL
Bandes découpées58AJ2273
Gamme de produitCoolGaN
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id15A
On Resistance Rds(on) Max0.07ohm
Drain Source On State Resistance70mohm
Typical Gate Charge5.8nC
Transistor Case StyleLSON
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeCoolGaN
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on) Max
0.07ohm
Typical Gate Charge
5.8nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Drain Current Id
15A
Drain Source On State Resistance
70mohm
Transistor Case Style
LSON
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit